1. 马斯克称 Neuralink 首位脑机接口受试者接近康复，可通过思维操控鼠标

埃隆・马斯克在 X 上的一场直播活动中谈到了 Neuralink 的首位人类脑机接口受试者，“进展很好，病人似乎已经完全康复，而且目前所知的神经方面影响也并不明显”。

他表示，受试者可以通过纯粹的思维移动屏幕上的鼠标，也就是说可以用“意念”操纵鼠标，Neuralink 现在正试图让受试者“通过思维尽可能多地按下按钮”，“这可能包括上下移动电脑鼠标以拖动屏幕上的方框”。

2. 消息称三星正改善半导体封装工艺：非导电胶过渡至模塑底部填胶

根据韩媒报道，三星电子正计划升级工艺，将非导电胶（NCF）更改为模塑底部填胶（MUF），从而实现更先进的封装工艺。

三星过去一直使用非导电胶来垂直连接半导体。NCF 可在半导体之间形成一层耐用薄膜，从而防止芯片轻易弯曲。NCF 曾被用作支持 TSV 的关键材料，但也因难以处理、生产效率较低而不被认可。报道称三星电子计划在硅通孔（through-silicon electrode，TVS）加工过程中，引入使用 MUF 材料。

3. 消息称微软正研发新型网卡，旨在提升自研 AI 芯片性能并降低对英伟达依赖

据报道，微软正在研发一款新型网卡，旨在提升其自研的 Maia AI 服务器芯片的性能，并有可能降低公司对芯片设计厂商英伟达的依赖。

报道援引知情人士的消息称，微软 CEO Satya Nadella 聘请了联接网络设备开发商瞻博网络（JNPR.N）的联合创始人 Pradeep Sindhu 负责此次网卡研发项目。微软去年收购了 Sindhu 创立的服务器芯片初创公司 Fungible。该报道称，这款新型网卡类似于英伟达与图形处理器单元 (GPU) 一起销售的 ConnectX-7 网卡。报道还指出，该设备的研发可能需要一年以上的时间，如果成功，则可以缩短 OpenAI 在微软服务器上训练模型所需的时间，并降低成本。

4. 消息称SK海力士今年3月量产全球首款HBM3E存储器

韩媒报道，SK海力士将于今年3月开始量产全球首款第五代高带宽存储器HBM3E，计划在下个月内向英伟达供应首批产品。在存储半导体三大巨头（三星电子、SK海力士、美光）中，SK海力士率先开始量产HBM3E并向供应商供货，进行持续的全球HBM竞争。

去年8月，SK海力士宣布成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E，并开始向客户提供样品进行性能验证。据半导体行业消息，SK海力士于今年1月中旬正式结束HBM3E的开发。英伟达历时半年多的绩效评估已顺利完成。

5. 鸿海董事长：印度半导体封测厂持续推动中，泰国电动车厂总装完成、准备接单

鸿海举行50周年晚宴，针对鸿海在印度半导体布局的进度，董事长刘扬伟表示，与印度伙伴合资的半导体封测厂（OSAT）持续推动中。关于泰国电动车厂的进展，他表示已完成总装工作，即将开始接受订单。

鸿海是在今年1月下旬公告，将与印度HCL集团携手，在印度设立专业封测代工厂(OSAT)。鸿海透过子公司 Foxconn Hon Hai Technology India Mega Development Private Limited 出资 3,720 万美元 (约新台币 11.7 亿元)，取得新设公司 40% 股权。