AONA66916采用全新顶部开窗式DFN5x6封装，可实现业界领先的散热性能，提供可靠性更高的设计

日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL) Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS)（纳斯达克代码：AOSL）发布了一款 100V MOSFET——AONA66916，该器件采用AOS创新型双面散热DFN 5 x 6 封装。客户系统研发人员一直以来把 AOS 产品作为其方案设计的重要组件之一，帮助客户实现各种高性能应用要求。现如今，AOS产品进一步创新，提供最先进的封装以保持其器件实现最佳的散热性能，使工程师能够在长期处于恶劣条件下运行的电信系统和工业应用中开发更高效的方案设计。

通常来说，标准 DFN 5×6 封装主要是依靠底部焊盘进行散热，器件产生的大部分热量都将转移到 PCB上。为满足系统要求，增加了PCB 热管理设计的难度。AOS双面散热型 DFN 5×6 封装由于其较大的表面接触面积结构，可以实现外露的顶部窗口和散热器之间的最高热传递。 这使得器件能够实现 0.5°C/W 的低热阻（Rthc-top max），从而显着提高热性能。AONA66916 的顶部开窗式 DFN 5×6 封装与 AOS 标准的 DFN 5×6具有相同的封装和尺寸（5mm x 6mm），无需修改现有 PCB 布局，以最小的评估工作量提高功率密度。

值得一提的是，AONA66916利用AOS 100V AlphaSGT™ 技术，其优越的品质因数（FOM）完美适配硬开关的应用。 AONA66916 RDS(on) 最大值为 3.4mOhms，支持最大结温 175°C。

“在高功率电源设计中，MOSFET的散热性能具有一定的挑战性，AOS 通过其先进的顶部开窗封装设计成功解决了这一基本问题。由于顶部开窗的面积相对较大，这不仅实现了MOSFET从顶部窗口到散热器之间更好的热传递。而且MOSFET较低的温度，也有助于实现更高效、更稳健的设计方案” ，AOS MOSFET 产品线资深市场总监 Peter H. Wilson 说道。